「米国の制裁でも止まらない」中国最大DRAM企業が”新工場計画”…半導体覇権争いが激化

北京に新たなメモリー生産拠点を計画…米国の規制下でも増設へ

中国最大のDRAMメーカーであるCXMTが、北京で新たなメモリー半導体工場の建設を計画していることが分かった。

3日（現地時間）、ロイター通信によると、同社は北京に新たなメモリー半導体生産施設を建設する案を進めている。新工場はDRAMの生産能力拡大に重点が置かれると伝えられており、中国政府と地方政府も投資やインフラ支援に乗り出す可能性が指摘されている。

CXMTは現在、安徽省合肥市に主力生産施設を運営しており、中国のDRAM国産化をけん引する中核企業だ。北京工場が完成すれば、生産拠点を多角化すると同時に、供給能力も大幅に増えるとみられる。

今回の投資計画は、米国による先端半導体装置と技術の輸出規制が続く中で浮上した。米国は中国の先端半導体開発を制限するため、高性能装置と先端DRAM製造技術への輸出規制を強化しているが、中国は大規模な政府支援を基に自国の生産能力拡大に注力している。

CXMTは最近、汎用DRAMだけでなく、LPDDRやDDR5など次世代メモリー製品の開発にも力を入れている。業界では、生産能力が拡大すれば、中国国内のスマートフォンやサーバー、人工知能（AI）産業に必要なメモリー供給もさらに増えるとみている。

CXMTの増設は、世界のメモリー市場での競争をさらに激化させる見通しだ。サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが主導するDRAM市場で、中国企業の生産量が本格的に拡大すれば、中低価格帯の製品を中心に価格競争が激しくなる可能性が指摘されている。