「盗んだ者は5倍払え」中国、半導体設計の侵害者に”強烈な懲罰”を突きつける

中国、集積回路配置設計の保護条例を改正

中国政府は、半導体技術の開発促進と半導体の国産化政策を後押しするため、半導体チップの回路配置設計に関する知的財産権の保護を一段と強化した。

中国国務院は3日、李強首相が署名した改正「集積回路配置設計保護条例」を公布した。改正条例は10月15日に施行される。

改正条例では、集積回路の配置設計の保護・活用を拡充するとともに、登録・管理制度を実務運用に即した内容へと見直した。また、関連法令や国際条約との整合性を図るため、制度の改善も盛り込んだ。

中国司法部と国家知識産権局は、2001年に現行条例を制定して以降、集積回路技術が急速に発展し、産業界のニーズも大きく変化したことから、制度全般を実情に合わせて見直す必要があったと説明した。

改正条例は全6章54条で構成され、保護対象を拡大した。従来の半導体材料を用いた集積回路に加え、集積フォトニクスや量子機能を備えた集積回路の配置設計も保護対象に含めた。

知的財産権の保護を受けるには、創作者による独自の知的創作活動の成果であることに加え、創作当時に既に広く知られていた設計ではなく、独創性を備えていることが求められる。

登録申請や審査に関する手続きも整備した。登録申請は実際の創作活動に基づくものでなければならず、虚偽の申請を禁じた。申請者には、設計の独創性に関する申告を義務付けるとともに、提出する図面やその写しには独創的な部分を明示するよう求めた。

また、要件を満たさない申請は却下できるほか、不適切に登録された設計については登録を取り消せるとした。天災などの不可抗力やその他の正当な理由により申請期限を過ぎて権利を失った場合については、権利回復の手続きも明確化した。

国家安全保障に関わる配置設計に関する情報について秘密保持を義務付けるとともに、審査担当者や代理人の守秘義務も明記した。

権利者には、保護対象となる配置設計を複製したり、その配置設計を用いた集積回路の輸入・販売などを行ったりする排他的な商業利用権を認めた。

保護期間は、登録申請日または世界で初めて商業利用された日のいずれか早い日から10年間とした。ただし、創作から15年を経過した場合は権利が消滅する。

改正条例では、権利侵害に対する損害賠償額の算定基準も明確化した。賠償額は、権利者が被った実際の損害額や侵害者が得た利益を基準に算定し、それらの算定が困難な場合は、実施許諾料を基準に合理的に決定するとした。

また、故意による重大な権利侵害については、通常の損害賠償より重い責任を課すことができるとした。実際の損害額などを基に算定した賠償額の最大5倍までの支払いを命じることができる懲罰的損害賠償制度も導入した。

改正条例では、配置設計の活用を促進するための制度も整備した。国務院の知的財産権行政部門による関連公共サービスの充実を図るとともに、法人や非法人組織に対し、職務上の配置設計を創作した要件を満たす人材へ合理的な報酬や奨励金を支給するよう定めた。

さらに、配置設計の譲渡や実施許諾（ライセンス）、質権設定に関する手続きも整備した。共同権利者による権利行使のルールや実施料の配分基準についても明確化した。

中国当局は、条例の施行後、制度の周知を進めるとともに、関連する支援体制の整備を継続する方針だ。また、改正条例の実効性を高めるため、運用状況に対する管理・監督も強化するとしている。