「半導体自立を急ぐ中国」それでもASMLのEUVに10年で届かないとされる理由

UBS報告書「15年前のレベルの成熟度」
2〜5年以内にDUV装置の大量生産能力を確保
ASML、ハイNAなど新技術開発でさらに格差拡大

中国の半導体自立が加速しているが、今後10年以内にはASMLの技術力に追いつけないという見通しが示された。極端紫外線（EUV）露光装置は、米エヌビディア向けのチップを含む先端半導体の生産に不可欠な設備であり、オランダのASMLが世界で唯一供給する。中国は米国が主導する輸出規制により同装置を導入できず、独自開発に総力を挙げた。

2日（現地時間）、ブルームバーグ通信によると、UBSグループは同日の報告書で、中国が今後10年以内にASMLのEUV露光技術を代替するほどの装置を開発するのは困難だと予測した。アナリストのフランソワ＝グザヴィエ・ブヴィニ氏は報告書の中で、「中国は2004年当時のASMLと似た段階にあるとみられる」と明らかにした。分析チームは、光源とレーザーのサブシステムを中心とした特許活動を根拠に挙げ、ASMLがEUV装置を量産する15年前のレベルの成熟度を示していると評価した。

ただしUBSは、中国が2〜5年以内に液浸深紫外線（DUV）露光装置を大量生産する能力は備えるだろうと見込んだ。同社は「ASMLと比べて歩留まりやスループット（処理能力）で格差がある可能性や規制の制約を考慮すると、中国製の露光装置が中国国外で使用される可能性は低い」としながらも、「装置の性能や中国の半導体サプライチェーンの力量に関する情報が限定的であり、不確実性が残る」と指摘した。

中国政府は半導体の自給自足のため、莫大な国家資本を投入してきた。中国の半導体業界は、現在30％水準の自給率を2030年までに80％へ引き上げるという目標を設定した。これには先端装置の国産化までもが含まれる。

資金のパイプ役となるのは「国家集積回路産業投資ファンド（通称・ビッグファンド）」だ。2014年の第1期を皮切りに複数回にわたり資金を造成し、直近の第3期の規模は3,440億元（約8兆1,000億万円）に達した。資金はファウンドリー（半導体受託製造）のSMIC（中芯国際集成電路製造）や長鑫存儲技術（CXMT）、長江存儲科技（YMTC）などに集中して投じられた。

ASML、「ハイNA」で格差拡大…中国にはEUVを販売できず

ASMLはEUV露光装置を独占供給し、超微細半導体プロセス技術を牽引した。最近では従来のEUV装置の性能を上回る「ハイNA」および「ハイパーNA EUV」技術を開発し、超微細プロセスの限界を広げ続け、技術格差をさらに拡大させた。ただし、ASMLは主要市場の一つである中国に対し、EUV装置を販売できないよう規制の対象となった。

中国は最先端装置の導入に難儀しているが、大規模な投資により猛追のスピードを速めた。UBSが根拠に挙げた光源とレーザーのサブシステムに関する特許活動は、中国がEUV装置を独自開発しようとする動きを裏付けた。同時に液浸DUV露光装置の量産に突入するなど、目に見える成果も出した。しかし、DUVはEUVの微細な回路を描くプロセスには依然として及ばない。EUVプロセスを活用すれば、工程数を減らして生産性を高め、高性能半導体を製造することが可能となる。

一方、液浸DUV装置はEUVよりも技術レベルは低いが、光でシリコンウェハーに微細な回路パターンを刻む方式であり、半導体生産において依然として不可欠だ。ASMLは液浸DUV装置の価格を9,000万ドル（約142億2,500万円）近くに設定しており、EUV装置は1台あたり2億ドル（約316億1,100万円）を超える。